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• 2026년 7월 22일 (수) 11:14 2001:2d8:e4b2:64fe:5503:538b:68dc:4e58 토론님이 절연 게이트 양극성 트랜지스터 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''절연 게이트 양극성 트랜지스터'''(insulated-gate bipolar transistor, IGBT)는 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 접합형 트랜지스터다. 게이트-이미터간의 전압이 구동돼 입력 신호에 의해서 온/오프가 생긴 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 반도체 소자다. == 구조 ==)